技术编号：7227822
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制造方法，特别涉及一种可消除边角效应的。背景技术 由于浅沟槽隔离(shallow trench isolation；STI)近乎零(Near-Zero)的横向侵蚀，对于深亚微米(deep-submicron)与纳米级的超大规模集成电路(VLSI)而言，实为一种理想的隔离方案。然而，当组件的信道长度微缩，浅沟槽隔离的顶部角落形状对于组件执行特性也越来越重要。现有的浅沟槽隔离结构的形成方法，通常是先在半导体衬底上成长垫氧化层(pa...
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