技术编号:7227940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及以扫描方式对BICMOS半导体 晶圆进行的显影后的清洗方法。背景技术BICMOS半导体器件为具有双极晶体管及互补场效应晶体管(CMOS)的半导 体器件,BICMOS器件具有CMOS晶体管的低功耗特性和高集成度特性以及双极晶 体管的高速开关特性和高电流驱动性能。一般BICMOS半导体器件的制造过程包括,衬底清洗、涂布光阻、烘干、曝 光、显影、清洗、离子注入等的制程。目前,公知的清洗单元如图1所示清洗 臂(未示出)、清洗喷嘴1等组成,与...
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