技术编号:7228013
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种栅极及半导体器件 的制造方法、用于制造栅极的结构。背景技术随着半导体技术向小线宽、高集成度方向的发展,代表半导体制造 工艺水准的栅极的线宽越来越小,对光刻工艺提出了更高的要求,光学曝光波长也从365nm发展到248nm、 193nm甚至更小,基于高折射率介质 的浸润式曝光技术也已经被研发出来。然而由于栅极尺寸不断的缩小,光刻掩膜板上的图形尺寸越来越小, 图形的间距也越来越接近,受光刻分辨率的限制,传统的曝光工艺已经 不能满...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。