技术编号:7228069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体制程工艺中的测试方法,更具体地说,涉及一种金 属制程工艺中凹陷现象的测试结构及方法。背景技术在半导体制程工艺中,化学机械平坦化(CMP)是金属制程工艺中所 不可缺少的重要技术。尤其是在制作铜层的过程中。CMP是对图形敏感的工艺,在大块图形上具有更高的刻蚀速度(例如 大块铜图形进行CMP时,速度会比小块的铜或者铜导线快很多,因此在 大块的铜或者其他金属上进行CMP时会产生凹陷(dishing)的现象。目前,多层金属互连已得到广泛的应用,尤其是...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。