技术编号:7228090
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,具体涉及一种改善CwO电阻存储器疲劳特性的方法。技术背景存储器在半导体市场中占有重要的地位,由于便携式电子设备的不断普及,不挥发存 储器在整个存储器市场中的份额也越来越大,其中90%以上的份额被FLASH占据。但是 由于存储电荷的要求,FLASH不能随技术代发展无限制拓展,在45nm以下技术代遇到严 重的挑战,这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代不挥发存储器。最近电阻转换存储器 件(resistive switching memory)因...
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