技术编号:7228152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属塾制作工艺,尤其涉及。背景技术在半导体制造过程中,在完成顶层金属的制作后,还需在该顶层金属上制作金属垫,该金属垫通常为铝垫(Al pad),该金属垫就成为后续封装互联的 连接点,在制作该金属垫时首先通过物理气相沉积工艺(PVD)在顶层金属上沉 积金属层,之后通过光刻和刻蚀形成金属垫,但为保护金属垫不被磨损或碰撞, 还需在金属垫周边形成一保护层,在制作保护层时先通过化学气相沉积(CVD) 工艺沉积该保护层,并再通过光刻和刻蚀形成恰覆盖在该铝垫周...
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