技术编号:7228492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电位隔离电路及其应用,尤其是一种芯片衬底电 位隔离电路及其应用和应用方法。(二) 背景技术目前,在集成电路的设计过程中,工艺与设计有着紧密的联系,针对不同的设计的要求,所需选择的工艺就会不同,如使用BiCMOS 工艺还是CMOS工艺,使用高压工艺还是普通的工艺以及使用单阱 工艺还是双阱工艺等等。实现CMOS电路的工艺技术有多种,而CMOS是在PMOS工艺 技术基础上于1963年发展起来的,因此采用在n型衬底上的p阱制 备NMOS器件是很自然的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。