技术编号:7228561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体硅刻蚀工艺,具体地说,涉及一种解决半 导体硅刻蚀工艺偏移的方法。背景技术在半导体行业大规模集成电路的工艺过程中,需要在硅片表面加工出具有细微尺寸的图形。要求在不同时间、不同状态时, 一台刻蚀设备刻蚀硅片后得到的图形重复性一定要好,这直接影响着刻蚀设备 机台的产率和良率。目前,在维护腔室稳定状态的工艺方面,已经有一些经验,但是 对恢复刻蚀设备到刻蚀状态这样的工艺也是依赖于刻蚀设备之前的 环境。如果这种工艺不合适,将有可能导致产品硅片的刻蚀...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。