技术编号:7228567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体材料,尤其涉及一种实空间转移高 电子迁移率场效应晶体管材料。背景技术1963年,耿氏发现在n型GaAs两端电极加电压,当半导体内电场超 过3xl(^V/cm时,半导体内的电流便以很高的频率振荡,这个效应称为耿 氏振荡。除GaAs之外,当外加电压使InAs、 InP、 InGaAs等化合物半导 体样品内部的电场强度达到一定值时,也会出现类似的振荡。耿氏振荡是因为以上化合物半导体存在多能谷能带结构。比如GaAs 的能带结构如图1所示。导带...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。