技术编号：7228607
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别是指 一 种在半 导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法。背景技术低维结构材料具有量子尺寸效应、量子隧穿和库仑阻塞效应以及非线性光，效应等特性，是新一代固态量子腿 器件的基础，在未来的纳米电子学、光子学和新代超大规模集成电路方面有重要的应用前景而且随着维度的进—步降低，力人理论上讲—维量子线和InAs量子点的性能比量子阱材料更具有优越性，所以 引起了人们更大的关注。高质量的半导体InAs量子点 材料的制备是I nAs量子点器件和集成电路...
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