技术编号：7228652
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光电导传感器件，尤其涉及一种基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电传感器。背景技术 利用宏观体材料设计和制作的光电传感器已经广泛应用于各个领域，如金属-金属异质结、金属-半导体复合材料异质结、半导体-半导体复合材料异质结等等。文献资料表明，金属及其氧化物纳米材料具有不同于宏观体材料的特殊能级结构和优异的电子学性能，而且目前合成制备金属及其氧化物纳米材料的成熟技术也多种多样，例如文献[Wu H，Lin DD，andPan W，APPLIED P...
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