技术编号:7228811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低阻P型透明导电金属氧化物半导体薄膜及其制造方法,特别涉及一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法。背景技术 中国发明专利CN 03141558.X提供一种P型铟锡氧化物的制备方法,制成P型掺铟的二氧化锡透明导电薄膜,其缺点是在掺铟的二氧化锡中存在晶格畸变,导致空穴迁移率大幅下降,使得制成的薄膜的电阻率难以进一步降低,制约该薄膜导电性能的提高。发明内容本发明的目的在于提供一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法,即制成铟镓...
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