技术编号:7228992
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及x荧光光谱仪中使用的半导体核辐射探测器,尤其是一种噪声远小于现有技术的内置场效应管的半导体核辐射探测器。技术背景本发明主要征对半导体核辐射探测器使用的光电二极管和第一级前置放大器的场效应管。如图i所示,现有的核辐射探测器应用于感应低能x射线的探测器主要采用高纯硅生产的光电二极管,由于单个光子(8)的能量非常弱, 因此对第一级前置放大器的要求很高,要求场效应管的栅极和光电二极管的 连线要尽可能短。现有的核辐射探测器使用的光电二极管(6)和场效应管(...
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