技术编号：7229605
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体结构及其制造方法，更具体地涉及熔丝及其制造方法，其采用熔丝元件，该元件利用现今的集成电路工作电压来电编程。背景技术 过去，动态随机存取存储器(DRAM)阵列的修理通过如下完成以冗余字线或位线替代损坏字线或位线，同时使用激光断开导电材料制成的电路熔丝。随着器件持续小型化，这些激光熔丝的相对尺寸受到采用的激光的波长限制。因此，激光熔丝的尺寸不能无穷尽地收缩。这样，由于实现熔化和避免对相邻电路破坏所需要的硅空间，更难于实现烧蚀激光熔断熔丝。而...
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