全硅化外基极晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:7229606

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本发明通常涉及双极晶体管领域,更具体地,涉及具有全硅化外基极结构并由此具有减小的寄生电阻和更高的最大振荡频率的异质结双极晶体管。背景技术 在双极晶体管的制造中,半导体工业的趋势是提升此类晶体管的开关速度性能。可是在本领域内公知双极晶体管的性能受器件最大振荡频率的限制。晶体管的基极和发射极中的寄生电阻都趋于限制器件的最大振荡频率,由此大大限制了开关速度。因此,基极、发射极、或它们中的电阻都减小,将增加器件的性能。尤其随着无线和宽带应用的发展,而且当晶体管开关...
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