技术编号:7230042
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术区域本发明涉及一种半导体装置,具有保护内部电路不受到静电放电破坏的静电放电保护元件,特别涉及一种半导体装置,具有有微细化扩散层的静电保护元件、或难以向基板方向散热的静电保护元件,例如SOI(Silicon on Insulator,绝缘硅)基板上的静电保护元件。 背景技术 半导体装置的内部电路有时会被来自外部(人体、机械)的静电放电(ESD;Electro-Static Discharge)所破坏。例如,在MOS场效应晶体管(MOSFET;Metal-...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。