技术编号:7230046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,特别涉及一种用于改良薄膜晶体管的电气特性的结构技术。背景技术 上述的半导体装置例如在玻璃基板上形成有薄膜晶体管(Thin FilmTransistorTFT)。详细而言,在玻璃基板上形成有半导体层,在该半导体层中形成有源极区域和漏极区域。而且,在半导体层上隔着栅极绝缘膜形成有栅电极。在这样的半导体装置中,为了提高电特性的可靠性,公知的方法是例如具备专利文献1所记载的、在半导体装置的源极区域以及漏极区域具有低浓度杂质层的LDD(Ligh...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。