技术编号：7230158
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池，特别涉及一种蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的制作方法。背景技术 p-n结是多晶硅太阳能电池的核心，p-n结的制作质量将直接影响到太阳能电池的转换效率。由于太阳能电池是浅结结构，与其它半导体器件的差别较大。传统工艺制作硅太阳能电池的p-n结一般采用扩散技术，即将掺杂源涂在衬底表面，经过高温扩散形成，或者通过携带有掺杂源的气体经过化学气相沉积形成p-n结。以上传统工艺存在以下诸多问题工艺设备要求复杂，工艺环节多，工艺耗时较长，制作过程中会...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。