技术编号：7230234
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。制造具有FINFET的半导体器件的方法相关申请本申请要求享有于2006年9月29日所提出的韩国专利申请 No. 10-2006-0096463的优先权，在此将该专利全文并入参考。技术背景本发明一般涉及制造半导体器件的方法，更具体而言涉及一种用 以制造具有FinFET的半导体器件的方法。 因为半导体器件高度集成，所以二维晶体管结构在许多方面受到 限制。具体地，二维晶体管结构无法满足高速半导体器件的电流驱动 能力的需求。要解决这些局限，已经提出一种鳍式场效晶体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。