技术编号：7230564
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管制造领域，尤其涉及一种能够提高晶体管饱和电流 的。背景技术在一个实施例中，如图1所示，在现有技术中，高压晶体管一般可通 过以下方法来制造第一步，在硅衬底上进行离子注入，形成阱区，然后对硅片进行阱区 退火；其中，对于丽OS晶体管而言，所注入的离子可以为硼离子等;而 对于PMOS晶体管而言，所注入的离子可以为磷离子等；这时的剖面如图 2a所示。第二步，在所述硅衬底上阱区的位置进行选择性延伸轻掺杂源漏离子注入，从而形成晶体管的源漏区域，然后对硅片...
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