技术编号：7230583
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路半导体器件制造的工艺方法，尤其涉及一种 利用SAB增加侧墙宽度的嵌入式EEPROM工艺方法。背景技术在嵌入式EEPROM (电可擦除只读存储器)工艺中，要将逻辑低压器 件和存储器高压器件集成在一起。在尽可能保持器件性能符合模型的前提 下，降低器件的Ioff (漏电电流)能降低EEPROM的stand-by (待机) 电流，而加宽侧墙(Spacer)的宽度能有效地降低短沟道器件的源漏 (source-drain)间的串通，从而降低器件的...
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