技术编号:7230619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种浅沟槽隔离区及其 形成方法。背景技术随着集成电路集成度的增加,用以隔离半导体器件中有源区的隔离 区的尺寸必须不断地缩小。传统工艺中用于隔离有源区的区域氧化法(L0C0S)由于在有源区边缘的氧化造成场氧化层边缘具有鸟嘴(Bird, sbeak)的形状,而使得在半导体器件中有源区之间有效的隔离长度受到 限制。由于可避免上述区域氧化法的缺点,浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)工艺近年来被广泛...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。