技术编号:7230639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种刻蚀方法和双镶嵌 结构的形成方法。背景技术随着芯片的集成度越来越高,元器件的尺寸越来越小,因器件的高 密度、小尺寸引发的各种效应对半导体工艺制作结果的影响也日益突出。以刻蚀工艺为例,因具体功能不同,同一衬底上各刻蚀图形的大小、 形状及分布密度可能会不同,当器件尺寸小至一定程度后,即使是经过同 一刻蚀工艺后形成的同 一衬底上的刻蚀图形的结果也可能会不相同对于尺寸较小的刻蚀图形部分,因刻蚀尺寸效应(SDE, size-depe...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。