技术编号:7230654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种金属硅化物层及半 导体器件的制造方法。背景技术金属硅化物具有较低的电阻率,且跟硅材料具有很好的粘合性能, 被广泛应用于源、漏极和栅极作为接触层来降低接触电阻。目前,金属硅化物层形成方法主要有两种一种是先通过物理气相沉积工艺在硅或多晶硅上沉积金属层,然后 通过热退火工艺使金属层与硅或多晶硅发生反应,生成金属硅化物,该 方法多用于形成源、漏极的金属硅化物层,且多采用自对准工艺;例如, 在公开号为CN1663027A的中国专利申...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。