技术编号:7230658
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种栅极的制造方法及 半导体器件的制造方法。背景技术随着半导体集成电路制造技术的不断发展,半导体器件的线宽越来越小,目前,代表光刻工艺水平的栅极的线宽已经能够做到45nm或更 小。小的才册极线宽可以减小形成的半导体器件的驱动电压,进而减小功 耗;此外,也可以使形成的半导体器件尺寸减小,集成度提高,增加单 位面积上半导体器件的数量,降低成本。在公开号为CN 1632921A的 中国专利申请文件公开了 一种初f极的制造方法,该方法...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。