技术编号：7230663
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种半导体组件，特别有关于一种纳米信道闪速存储器(Nano-Channel Memory)的制造方法与结构。技术背景电气抹除式可编程只读存储器(EEPROM)为现今信息电子产品所广泛采 用的存储组件，原本有存取速度较慢的缺点，然而随着制造工艺技术的进步， 近年已开发出存取速度较快的EEPROM， 一般称之为闪存。基本上，典型 的EEPROM以浮接栅极晶体管结构所构成，当写入数据时，施以一高电压 于控制栅极，由所谓Fowler-Nordheim隧...
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