技术编号：7230824
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及集成电路，更具体而言涉及用于磁阻随机存取存储器电路的磁隧道结。背景技术 磁阻随机存取存储器(MRAM)是一种存储器技术，常用磁隧道结(MTJ)存储信息。基础MTJ包括被钉扎层、介入隧道阻挡层和自由层。通常，被钉扎层包括一层或多层沉积在反铁磁体层上的被钉扎铁磁体亚层。被钉扎层与反铁磁体层的交互作用在被钉扎铁磁体亚层中建立了稳定的磁取向，尽管外加的磁场达到几百或上千奥斯特。自由层包括简单的铁磁材料薄层或含有铁磁体和分隔件亚层的多层结构。隧道阻挡层...
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