技术编号：7230856
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体处理科技，特别是涉及一种暂态加速扩散(Transient Enhanced Diffusion; TED)降低的金氧半导体(MOS)元件的制造方 法。背景技术在金氧半导体元件的栅极宽度随着半导体科技的尺寸而缩减下，介于 其源极与漏极之间的通道长度也随之缩减。通道长度的缩减已经引发一些 严重问题，例如热载子效应，而会降低元件的效能,并造成元件损坏。为补 救这样的问题,已发展出不同的漏极结构,例如轻掺杂漏极(LDD)结构。轻掺 杂漏极结构充...
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