技术编号:7231044
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料制造领域,具体涉及一种应用磁控溅射方法(magnetron sputtering technique)制备在较宽的温度下具有良好整流特性的镧锶锰氧-氧化锌(La0.7Sr0.3MnO3/ZnO,LSMO/ZnO)p-n结的方法。背景技术 p-n结二极管作为基本的元器件在微电子学中有着举足轻重的作用。与传统p-n结相比,氧化物p-n结由于其丰富的电学、磁学、光学性质以及耐高温的特点不仅为研发新型的电子器件提供了技术基础,而且成为现代固体物...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。