技术编号：7231051
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体近红外光源和半导体近红外发 光二极管，特别是指 一 种提高半导体型碳纳米管发光 效率的方法。背景技术碳纳米管是由由石墨烯片层围成的一种管状结构。碳纳米管可以通过结构指数(n， m )来表征。碳纳 米管的直径从零点五纳米 一 直变化到几纳米。相对于 其它纳米材料，碳纳米管具有很多独特的性质。三分 之 一 的碳纳米管具有金属性，而另外三分之二的碳纳 米管具有半导体性。由于碳纳米管的直径分布范围非 常广，使得半导体型碳纳米管的带隙从可见光变化到 ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。