技术编号：7231068
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，为里子占材料的生长技术，特别是指 一 种以二氧化硅为掩模定位生长子点、的方法北 冃景技术在半导体材料领域中量子点具有许多独特的光学性质和电学性质，如光吸收、光增益及光反射;並 i曰更尖锐激子和杂质的束缚能增大，if干涉效应、子隧穿效应及库仑阻塞效应(Co 1umbb1a_ sk ade等这些性质使得量子点在光电子、微电子领域員有极大的应用潜力，如研制阈值更低、效率更咼、执 "、、稳定性更好的1子点、激光器，更高速度的微电子器件HEMT ，...
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