技术编号:7231070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光器,尤其涉及一种用于改善输出光斑 的量子阱边发射半导体激光器的制作方法。背景技术半导体激光器由于其体积小、寿命长、电光转化效率高等优点广泛应 用于光存储、光显示、光通信等领域。半导体激光器中很大一部分比例是 边发射激光器,它是直接利用半导体材料的自然解理面来做谐振腔面,工 艺简单、晶面完美。但边发射激光器所固有的一些缺陷,如光束发散角大、 光束质量差等问题的存在,给实际应用带来了很大困难。众所周知边发射量子阱半导体激光器的输出光斑是椭圆...
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