技术编号：7231210
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用碳化硅半导体衬底形成为诸如MOSFET(绝缘栅金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、双极晶体管或二级管等器件的碳化硅半导体器件，以及该器件的制造方法。背景技术 据报导，利用碳化硅(SiC)半导体衬底制造的高击穿电压功率器件具有显著降低该器件的导通电阻的可能性。在最近几年中，在1.2至1.7kV级别的SiC的MOSFET中获得了小于10mΩcm2的低导通电阻。这低于相同击穿电压级别的硅(Si)的IGBT的导通电阻。然而，...
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