技术编号:7231280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及电可程序化且可抹除存储器,且更明确地说涉及用于在单一存储单元二位元的操作中增大存储器操作裕度并减小第二位元效应(second bit effect)的方法和元件。背景技术 基于已知为电可抹除可程序化唯读存储器(EEPROM)和快闪存储器的电荷储存结构的电可程序化且可抹除非挥发性存储器技术用于多种现代应用中。快闪存储器经设计而具有可独立地被程序化并读取的存储单元阵列。快闪存储器中的感测放大器(sense amplifier)可用来确定储存在非...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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