技术编号:7231298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属-氧化物-半导体(MOS)元件的结构及制造方法,尤其与 MOS元件的硅化物区域的形成有关。背景技术超大规模集成电路(VLSI)系统所需的深次微米(deep-submicron)微縮技 术已主导微电子工业的设计观。随着栅极电极长度的微縮化,源极与漏极接 面亦需随之縮小,以抑制所谓的短通道效应(short channel effect, SCE)。短 信道效应会使縮小化的元件性能劣化。互补式金属-氧化物-半导体(CMOS) 元件微缩时所遭遇到的主...
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