技术编号：7231303
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及闪速存储元件，并尤其涉及使用P型沟道单元的闪速存储元件。背景技术公知的NAND型浮动栅极闪速存储器(闪存)使用在很多非挥发的存储应用中，因为它们的密度很高。另外，他们能以低功率操作并且有高速页编程能力。图1示出了公知的NAND型浮动栅极闪速存储器100，其使用n型沟道存储器单元。每一n型沟道存储器单元都可为浮动栅极元件或者硅/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon；SONOS)型元件。编...
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