技术编号:7231342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属内连线的制造方法,且特别涉及一种双重金属镶嵌 结构的制造方法。背景技术随着半导体元件集成度的提升,多重金属内连线的使用愈来愈广。通常, 多重金属内连线的金属层的阻值愈低,则元件的可靠度愈高,效能愈好。在 金属材料中,铜金属的阻值低,非常适合用作多重金属内连线,但因铜金属 难以传统的光刻蚀刻技术来图案化,故而发展出一种称之为双重金属镶嵌工艺双重金属镶嵌工艺是在介电层中形成沟槽与介电层窗开口 ,再回填金属,以形成金属导线与介电层窗的技术。图1...
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