技术编号:7231357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及III-V族化合物的晶体以及所述晶体的生产方法,更具体而言,涉及即使使用各种各样的基质,也能生产出没有出现裂纹的高质量III-V族晶体的方法。背景技术 III-V族化合物晶体如GaN晶体在不同于晶体材料的基质如蓝宝石基质或硅(Si)基质上的生长,由于性质差异如它们的晶格常数和热膨胀系数的不同而引起了在晶体与基质之间的应力,由此导致了弯曲和裂纹;因此该方法不能生产出高质量的III-V族晶体。鉴于这个问题,而进行了一种用于减轻晶体与基质之间的应力的方...
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