技术编号:7231502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置,特别是关于一种具有两种不同金属氧化物 半导体结构的半导体装置。背景技术金属-氧化层-半导体-场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET )是一种广泛使 用的场效应晶体管(field-effecttransistor )。 MOSFET依照其"沟道"的极性 不同,可分为P型金属氧化物半导体与N型金属氧化物半导体,通常又简称 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。