技术编号:7231623
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储结构,并尤其涉及使用相变化存储元件的存储阵列。背景技术 以相变化为基础的存储材料被广泛地运用于读写光盘以及非易失性存储阵列中。这些材料包括有至少两种固态相,包括如大部分为非晶态的固态相,以及大体上为结晶态的固态相。激光脉冲用于读写光盘中,以在二种相中切换,并读取此种材料在相变化后的光学性质。如硫属化物及类似材料的这些相变化存储材料,可通过施加其幅度适用于集成电路中的电流,而引起晶相变化。一般而言,非晶态的特征为其电阻高于结晶态,此电阻...
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