技术编号:7231640
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法,更具体涉及一种制造鳍状晶 体管的方法。背景技术当半导体器件变得高度集成时,传统的二维晶体管结构具有若干限制。 尤其是对于高速器件,二维晶体管结构往往不能满足所需的电流驱动。鳍状场效应晶体管(FET)和鞍型鳍片FET是试图克服上述限制的两种 实例。这些鳍状FET和鞍型鳍片FET通常使用三个表面作为通道,因此, 它们提供良好的电流驱动,并且改善背向偏压关联性。图1A~1D为说明鳍状晶体管制造方法的横截面图。图2示出通过图 1...
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