技术编号:7231809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制作方法,特别是涉及一种利用多晶硅 罩幕,在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。背景技术为了反应极大型尺寸集成半导体元件的接线技术在高密度及效能上逐 步性的需求,在相互连接的技术上必须有所改变。因为这种逐步性的需求会使互相连接的图样越来越难达到低电阻电容值(RC)的要求,特别是因为 小型化目的所使用的具有高外观比(aspect ratio)的次微米通孔接点 (sub-micron via contact)以及沟渠。习知的半导体元...
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