技术编号：7232177
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置，特别是一种非挥发性半导体存储装置。背景技术 基于以往技术的闪存或非(NOR)型阵列构成，系在衬底表面交互平行排列直线形分离绝缘膜和直线形有源区，并在第一方向延伸。在这种衬底的上侧，与第一方向垂直交叉的第二方向配置有线形延伸的直线形栅电极。栅电极为多个平行配置，从上面看时，从栅电极之间的间隙露出的多个线形平行衬底表面区域，一条条交互地形成了源极区和漏极区。在比栅电极更上方的各层，分别配置有3种金属连线，这3种金属连线分别与栅电极、源极区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。