技术编号：7232250
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别涉及在衬底中引入栽流子寿命抑制因数(carrier lifetime killer)来提高特性以及可 靠性的.背景技术在绝缘栅双极型晶体管UGBT)等功率半导体元件中，通常，在 衬底内设置含有pn结的二极管.在该二极管变为导通状态时，通过pn 结注入少数栽流子.在二极管变为截止状态时，在少数栽流子过剩的 情况下，产生反向电流，能量损失变大.为了将所迷能量损失抑制得较小，在衬底内设有晶格缺陷 (Crystal lattice defect)等...
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