技术编号:7232411
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种光源组件,且特别是有关于一种采用发光芯片的光源组件。背景技术近年来,利用含氮化镓的化合物半导体,如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、 氮化铟镓(InGaN)等的发光二极管(light emitting diode, LED)元件备受瞩目。 三族氮化物为一宽频带能隙的材料,其发光波长可以从紫外光一直涵盖至红光,因 此可说是几乎涵盖整个可见光的波段。此外,相较于传统灯泡,发光二极管具有绝 对的优势,例如体积小、寿命长、低电压/电流驱动...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。