技术编号:7232562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光伏电池,提供了一种CuInSe2半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺。背景技术CuInSe2是一种具有黄铜矿结构的直接带隙半导体化合物,其禁带宽度为1.04eV,室温下性能稳定。研究中,人们通过成功制备合金化合物Cu(In,Ga)Se2和CuIn(S,Se)2,将原有CuInSe2光伏材料的禁带宽度增大,使其更接近光伏转换最佳值1.4eV,用其制备的薄膜太阳电池在提高转换效率的同时获得了更高的开路电压(主要文献有Marianna Kemell,...
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