技术编号:7232647
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光伏电池,特别是提供了一种制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳能 电池吸收层的工艺。 背景技术Cu2ZnSnS4是一种用作薄膜太阳能电池吸收层的半导体材料。它具有1.51eV的 禁带宽度,10、m—1的吸收系数,十分符合太阳能电池所要求的条件。化合物中含有 的元素都是在地壳中储量丰富的,不含其他太阳能电池材料如CdTe中含有的有毒金 属Cd,也不含有CuInSe2所用的贵金属In,是一种对环境十分友好的材料,适宜作 为太阳能电池的吸收层,因此具有十分广...
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