技术编号:7232659
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米电子学中单电子输运,尤其涉及一种具有双 量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法。背景技术纳米电子学是纳米科技的重要领域之一,是微电子学继续向微观领域 的发展和延伸。目前,超大规模集成电路的特征尺寸己经进入到纳米尺度(<100nm)范围,在CMOS器件等比例縮小的过程中,量子效应的影响 变得越来越突出。而单原子层的薄膜外延生长技术、隧道探针技术、先进 的光刻技术制作出的纳米固体结构表现出奇特的量子效应,在这些效应的 基础上人们发明了共...
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