技术编号：7232676
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体技术，尤其涉及一种。背景技术由于碳化硅材料具有宽的禁带、高的临界电场强度、较大的饱和电子速度和较高的热 导率，使其成为制作高温、高压、高频、大功率.和抗辐照等电子器件理想的材料。欧姆接触 具有线性的电压-电流关系；相对于碳化硅器件尺寸来讲，可忽略电阻。制备良好的欧姆接触是制作半导体器件的重要工艺之一，尤其对需要制成大功率的碳化硅器件更是如此，如 何提高其欧姆接触性能成为制约该种器件实用化的关键。好的欧姆接触需要低的肖特基势垒高度。获得好...
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