技术编号：7232750
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于.半导体科学，特别是涉及种氮化镓基高电子迁移率晶体管的结构,背景技术氮化镓基咼电子迁移率晶体管具有高温、高频、大功率和抗短射的特点，可以在恶劣环境下工作，在雷达、卫星通信、无线通信等领域具有广阔的应用-、/* 刖學氮化镓基咼电子迁移率晶体管的原理为由于氮化镓与铝镓氮这两种材料的导带不连续性，同时由于这两种材料的白发极化与压电极化效应，在它们的界面处形成个二角形势阱，从而在三角形势阱中形成—维电子气，由于二维电子气与电离杂质在空间上相互隔离，使材料...
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